დიფუზიური პროცესების შესწავლა მყარ სხეულებში

ნახევარგამტარული ხელსაწყოებისა და ინტეგრალური მიკროსქემის (იმს) ერთ-ერთ მთავარ კომპონენტს წარმოადგენს p-n გადასასვლელი, რომელიც ფორმირდება ერთი ტიპის ნახევარგამტარში ისეთი მასალის დიფუზიით, რომ შეიცვალოს მოცემული ნახევარგამტარის ტიპი. ამიტომ წინამდებარე საბაკალავრო სამუშაოს მიზანია: დიფუზიური პროცესების ჩატარება p- და n-ტიპის სილიციუმის საფენზე, მასზე p-n გადასასვლელის მისაღებად. დასახული მიზნის მისაღწევად შემუშავდა ტექნოლოგიური მარშუტი, რომელიც ითვალისწინებდა p-n გადასასვლელის მიღებას: 1)დაბალტემპერატურული ფოტონური და 2) შედარებისთვის - ტრადიციული, მაღალტემპერატურული დიფუზიური პროცესების დამუშავებას. ორივე შემთხვევაში დიფუზიისწინა პროცესები ტარდებოდა ერთნაირად: ა) ნიმუშები ქიმიურად სუფთავდებოდა, ბ) ეფინებოდა p-ტიპის სილიციუმზე ფოსფორსილიკატური, ხოლო n-ტიპზე - ბოროსილიკატური მინა. დიფუზიური პროცესები ჩატარების შემდეგ გაზომილ იქნა დიფუზიური არის სიღრმე, ზედაპირული წინაღობა და გამტარებლობის ტიპი და გადაღებულ იქნა ვოლტ-ამპერული მახასიათებლები. ნაჩვენები იქნა, რომ დაბალტემპერატურული, ფოტონური დიფუზიით მიღებული არეები უფრო მკვეთრია და მაღალხარისხიანი.

მიმაგრებული ფაილები: