მიკროსქემის ელემენტების მიღების ტექნოლოგიის შესწავლა

ნახევარგამტარული ხელსაწყოს და ინტეგრალური მიკროსქემის (იმს) შექმნის ტექნოლოგია რთული პროცესია. პირველ რიგში უნდა მოხდეს იმს-ს ყველა ელემენტის პარამეტრების გათვლა, ტოპოლოგიის შექმნა და მოდელირება. სქემოტექნიკური გათვლების შემდეგ საჭიროა სამუშაო ფოტოშაბლონის, როგორც მთავარი ინსტრუმენტის, დამზადება ყველა კომპონენტებით. ეს გულისხმობს მასში ხაზების და შეთავსების წერტილების სიზუსტეს. შემდეგი პროცესია ფოტორეზისტის სახის, დაფენის, ფორმირების და ლოკალიური მოწამვლის მეთოდების შერჩევა. ამის შემდეგ ხდება ფანჯრების ზომების კონტროლი და მათში დიფუზიური პროცესების ჩატარება. ყველა ზემოთ ჩამოთვლილი პროცესების შესწავლა სცილდება ერთი სადიპლომო ნაშრომის თემას, ამიტომ წინამდებარე ნაშრომის მიზანია: სილიციუმის საფენზე მოახდინოს და შესწავლილ იქნას თერმული SiO2-ის დაფენის, ფოტოლიტოგრაფიის, ლოკალური დიფუზიისა და მეტალიზაციის პროცესები. ჩატარებული ექსპერიმენტული პროცესების შემდეგ გაიზომა დიელექტრიკის სისქე და კრიტიკული ზომები მიკროსკოპ МИИ-4-და „LEITZ”-ზე, ზედაპირული წინაღობა ოთხზონდიან დანადგარზე, დიფუზიის შემდეგ ტიპი და სისქე, მეტალის შეცხობამდე და შემდეგ ომური კონტაქტის სიდიდე. გაზომვებმა აჩვენეს, რომ მიღებული შედეგები სრულად აკმაყოფილებს სილიციუმზე რეზისტორის, კონდენსატორის და ველის ტრანზისორის ფორმირების ტექნოლოგიას.