მზის ელემენტების დამზადების არატრადიციული ტექნოლოგიის დამუშავება

ავტორი: გიორგი დადუნაშვილი
საკვანძო სიტყვები: p-n გადასასვლელი, დიფუზია, ფოტოლიტოგრაფია.
ანოტაცია:

კაცობრიობის განვითარების თანამედროვე ეტაპი მოითხოვს დიდ ენერგომოხმარებას, რაც უცილობლად შეამცირებს დედამიწაზე ენერგორესურსებს. ენერგიის მარაგის შემცირება და ენერგეტიკის კვლავგანვითარებასთან დაკავშირებული მზარდი ეკოლოგიური სიძნელეები აიძულებს ადამიანებს მონახონ ენერგიის მიღების ახალი, არატრადიციული მეთოდები, რომელთა შორის ერთ-ერთ პერსპექტიულ მეთოდად ითვლება მზის ენერგიის გარდაქმნის ფოტოელექტრული მეთოდი. ის ეკოლოგიურად სუფთაა და იძლევა ენერგიას დიდი ეფექტურობით. ეს ხელსაწყო აგებულია ნახევარგამტარულ მასალაზე, რომელიც კარგადაა შესწავლილი. მზის ელემენტების მისაღებად ნახევარგამტარულ ფირფიტაზე ფრონტალური მხრიდან საჭიროა შეიქმნას p-n გადასასვლელი. ამიტომ წინამდებარე სადიპლომო ნაშრომის მიზანია: სილიციუმის საფენზე მიღებულ იქნას p-n გადასასვლელი თერმული მეთოდით, შემდგომში მზის ელემენტის შექმნისთვის. ამისთვის სილიციუმის ფირფიტაზე ფრონტალური მხრიდან ეფინება ფოსფოროსილიკატური მინა (p-ტიპის სილიციუმის შემთხვევაში), ან ბოროსილიკატური მინა ( n-ტიპის სილიციუმის შემთხვევაში). შემდეგ ეტაპზე, 10500C ტემპერატურაზე კეთდება დიფუზია თერმულ ღუმელში. შემდეგ ეფინება ომური კონტაქტები ორივე მხრიდან და კეთდება ფოტოლიტოგრაფია ფრონტალური მხრიდან მზის მაქსიმალური დასხივებისთვის. გაზომილ იქნა მიღებული p-n გადასასვლელის და მზის ელემენტის პარამეტრები: p-n გადასასვლელის სიღრმე, დიფუზიის ტიპი, ზედაპირული წინღობა და მ.ქ.კ. მიღებული პარამეტრები კარგ თანხვედრაშია სტანდარტულ მიღებულ მზის ელემენტების პარამეტრებთან.

მიმაგრებული ფაილები:

მზის ელემენტების დამზადების არატრადიციული ტექნოლოგიის დამუშავება [ka]