ალუმინუმ-ნიტრადის/ალუმინუმ-გალიუმ-ნიტრადის ლითონ-ინსულატორიანი საველე ტრანზისტორების მაღალი სიხშირის, სიმძლავრისა და დაბალსიხშირული დისპერსიის პარამეტრები

ავტორი: გიორგი აროშვილი
თანაავტორები: დიმიტრის პავლიდისი
საკვანძო სიტყვები: ალუმინუმ-ნიტრიდი, ალუმინუმ-ნიტრიდი/გალიუმ-ნიტრიდის ლითონ-ინსულატორიანი საველე ტრანზისტორი, ფართე ენერგეტიკული ღრეჩო, დაბალსიხშირული დისპერსია
ანოტაცია:

მოხსენებაში წარმოდგენილია ალუმინუმ-ნიტრიდის/ალუმინუმ-გალიუმ-ნიტრიდის (AlN/GaN) ტექნოლოგიაში დამზადებული ლითონ-ინსულატორიანი საველე ტრანზისტორების სისტემრუსი ანალიზი. შესწავლილია მუდმივი დენის, ასევე მაღალი სიხშირის (როგორც მცირე სინგალების ასევე მაღლი სიმძლავრის რეჟიმში) და დაბალსიხშირული დისპერსიის მახასიათებლები. მუდმივი დენის რეჟიმში მიღებული შედეგები განხილულია მაღალ სიხშირეებზე მიღებულ მახასიათებლებთან მიმართებაში. ასევე, დაბალსიხშირული დისპერსიის პარამეტრები შედარებულია ალუმინუმ-გალიუმ-ნიტრიდის/გალიუმ-ნიტრიდის ტექნოლოგიაში დამზადებული ელექტრონების მაღალი ძვრადობის ტრანზისტორების (AlGaN/GaN HEMTs) შედეგებთან. წარმოდგენილია პუბლიკაციის მომენტისთვის ტექნოლოგიაში ერთერთი საუკეთესო შედეგები როგორც ნორმალიზებული სიმძლავრის სიმკვრივის მიხედვით (533 mW/mm), ასევე მაღალი ეფექტურობა (P.A.E. of 41.3%) და წრფივი ნამატი (linear gain of 17 dB).