ნანოსისქის დიელექტრიკული ფირები

ავტორი: ზურაბ ყუშიტაშვილი
საკვანძო სიტყვები: პლაზმა, ანოდირება
ანოტაცია:

მიკრო და ნანოელექტრონული ხელსაწყოების შექმნის ერთ-ერთ ძირითად ელემენტს წარმოადგენს დიელექტრიკი, რომლის ოპტიკური და ელექტრული თვისებები განსაზღვრავს მის ფართო გამოყენებას ინტეგრალური მიკროსქემების შექმნის ინდუსტრიაში. დიელექტრიკული ფირების ფორმირების სტანდარტული ტექნოლოგია არის მაღალტემპერატურული (11000C) მაღალი ტემპერატურა კი უარყოფითად მოქმედებს ხელსაწყოს თვისებებზე. Aაქედან გამომდინარე დიელექტრიკის მიღების ტემპერატურის შემცირება გადამწყვეტი ფაქტორია ნანოხელსაწყოს დამზადებისას. Aამ პრობლემის გადასაჭრელად შემოღებულია დიელექტრიკების მიღების კატალიზური პლაზმური ანოდირების მეთოდი. Eეს პროცესი არის დაბალტემპერატურული (300-4000C), მშრალი პროცესი და კარგად შეესაბამება ნახევარგამტარული ხელსაწყოების შექმნის ტექნოლოგიას. პლაზმური ანოდირებით მიღებული დიელექტრიკული ფირები არ შეიცავენ მინარევებს, ხასიათდებიან საფენთან კარგი ადგეზიით, მაღალი გარღვევის ძაბვით და პლაზმის იონებისაგან ზედაპირის დაუზიანებლობით. ეს პარამეტრები კი განსაზღვრავენ დიელექტრიკის ოპტიკურ და ელექტრულ თვისებებს.

მიმაგრებული ფაილები:

ნანოსისქის დიელექტრიკული ფირები [ka]
ფოტოლიტოგრაფია [ka]