ზეთხელი დიელექტრიკული ფირების მიღების ტექნოლოგიის დამუშავება

ა ნ ო ტ ა ც ი ა მიკრო და ნანოელექტრონული ხელსაწყოების ძირითად ელემენტს წარმოადგენს დიელექტრიკი, რომლის მიმართ განსაკუთრებული მოთხოვნებია წაყენებული. ეს განსაკუთრებით ეხება გვირაბგასვლით სტრუქტურებს, რომელთა ძირითადი პარამეტრია დიელექტრიკით შექმნილი კონდენსატორის ტევადობა და გვირაბული წინაღობა. ასეთი ზეთხელი დიელექტრიკისთვის ერთ-ერთი ძირითადი მოთხოვნაა, რომ მას ჰქონდეს დიდი დიელექტრიკული შეღწევადობა, კულონური ბლოკადის ძაბვის დაბალი მნიშვნელობისთვის და შესაბამისად, დიელექტრიკის გარღვევის დაძაბულობის მაღალი ხარისხი. მისი მიღების ტემპერატურა უნდა იყოს რაც შეიძლება დაბალი, რადგან სტანდარტული ტემპერატურა მაღალია და ამ დროს ხდება არასასურველი მინარევის დიფუზია, დეფექტების გაჩენა, საფენთან ადგეზიის გაუარესება, რაც ცუდად მოქმედებს მის და მასზე შექმნილი ხელსაყოს პარამეტრებზე. ამიტომ, წინამდებარე სადიპლომო სამუშაოს მიზანია სილიციუმზე მაღალხარისხოვანი ტიტანის თხელი ფირების მიღება დაბალტემპერატურული კატალიზური პლაზმური ანოდირებით. კატალიზური პლაზმური ანოდირების პროცესის არსი იმაში მდგომარეობს, რომ ქიმიურად გასუფთავებულ სილიციუმის ზედაპირზე მაგნეტრონული მეთოდით ეფინება ტიტანის თხელი ფირი. მას შემდეგ ეფინება ელექტრო-სხივური მეთოდით იტრიუმის თხელი ფენა და მიღებული სტრუქტურა თავსდება ჟანგბადის შემცველ პლაზმაში, სადაც იჟანგება პლაზმის მიმართ მოდებული დადებითი ძაბვის გამო. ამ მეთოდით დიელექტრიკის მიღების ტემპერატურა მცირდება სამჯერ და პროცესის ეფექტურობა იზრდება ორი რიგით. პროცესის დასრულების შემდეგ ქიმიურად იხსნება იტრიუმის ჟანგი სტრუქტურის სხვა ნაწილების დაუზიანებლად. მიღებული ტიტანის ოქსიდური ფირის საფუძველზე განსაზღვრულია ოქსიდის სისქე, გარდატეხის მაჩვენებელი, ზედაპირის ხაოიანობა, შექმნილია ალუმინი-ტიტანის ოქსიდი-სილიციუმის სტრუქტურა და მის საფუძველზე ნაპოვნია დიელექტრიკული შეღწევადობა, მუხტი დიელექტრიკში და გამყოფ საზღვარზე. მიღებული ოქსიდის ელექტრო-ფიზიკური პარამეტრები იძლევიან საფუძველს, რომ ისინი შეიძლება გამოყენებულ იქნან ნანოხელსაწყოების შექმნის ტექნოლოგიაში.